Да, накачка именно ИМПУЛЬСНАЯ, а энергетическая эффективность повышается за счет того, что транзисторы работают в ключевом режиме: НАСЫЩЕНИЕ - ОТСЕЧКА ( или ОТК - ЗАКР), и потери в них минимальны.
В таком ключе, всё верно, потери минимальны если "пересчёлкивать" в "0" тока, и в промежутках между "толчками" вкачивать энергию в накачиваемый контур.
Но ведь, если применить и "жесткое" переключение, можно добиться тоже не плохих результатов.
Т.к. почти все импульсные источники питания "рубятся" жёстко, но их КПД, однако очень высок и понятно почему.
Вот, к примеру осцилка токов, моего решения по такой накачке :
Это косой мост и две части индуктора.Желтым ток - через индуктор, синим - ток в доработанной части индуктора со вторичкой.
Видно что, di/dt в индукторе не может превысить "барьер" в максимум "наросшего" тока, однако если доработать часть индуктора,
то можно получить, di/dt - превышающее ,возможный за счёт полной формулы описанной выше .
ЗЫ И в жизни тоже уже проверял.