Автор Тема: ИИП на микросхеме UC3844, и её подобных.  (Прочитано 1386 раз)

0 Пользователей и 1 Гость просматривают эту тему.

De_Kan

  • *
  • Сообщений: 37
  • Microsmart.eu
Микросхема UC3844, и ей подобные, разработаны для работы на MOSFET ключ. Однако в справочных листах на серию этих микросхем видел, что она так же может работать и на ключ на биполярном транзисторе. Решил проверить, а правда ли будет работать. Это мои первые опыты в построении обратноходовых преобразователей, да и вообще в построении импульсных источников питания.

По справочному листу на эту микросхему нашел, что выход микросхемы может обеспечить 200 мА тока для раскачки биполярного ключа. Чего более чем достаточно для постройки маломощного ИИП для замены, например, сгоревшего китайского зарадного устройства, или маломощного ИП для самоделки.
Есть у меня сгореший китайский зарядник для мобильного телефона. Поставил себе цель в этом же корпусе собрать ИИП на этой микросхеме, с таким же транзистором серии 13001, какие они применяют для маломощных обратноходов. Думаю что ИП на микросхеме будет порядком надежнее чем автогенераторная схема.

И оказывается работает. Моя тестовая схема работает сейчас не от сети, а от 100 В постоянного тока. Пока провожу испытания, замеры, и наладку схемы. Позавчера был первый запуск. Ничего не взорвалось  :).
Столкнулся с таким явлением как время рассасывания заряда базы транзистора, в справочном листе обозначено как Storage Time. Не сделал снимок осциллограммы на базе транзистора, но на эмитерном резисторе это выглядит как на приложенной осциллограмме.

Нашел литературку где поясняются пути как от этого избавиться. Как получится, выложу осциллограмму на формы напряжения на базе до и после.

Livemaker

  • Администратор
  • *****
  • Сообщений: 1834
  • www.microsmart.eu
    • Microsmart
Re: ИИП на микросхеме UC3844, и её подобных.
« Ответ #1 : 03 Ноябрь, 2017, 07:06:17 »
Из каких соображений Вы используете биполярный транзистор?

De_Kan

  • *
  • Сообщений: 37
  • Microsmart.eu
Re: ИИП на микросхеме UC3844, и её подобных.
« Ответ #2 : 03 Ноябрь, 2017, 11:07:12 »
Во первых, это то что у меня есть в наличии. Во вторых, хотелось проверить правда ли будет работать. В третьих, не часто встретишь в свободной продаже полевик на 600 В с током 0,1 А - 0,2 А. А ставить в схему мощностью в 2 Вт - 3 Вт огромный полевик, это перебор.

Livemaker

  • Администратор
  • *****
  • Сообщений: 1834
  • www.microsmart.eu
    • Microsmart
Re: ИИП на микросхеме UC3844, и её подобных.
« Ответ #3 : 03 Ноябрь, 2017, 11:38:28 »
Здесь всё, что нужно знать об обратноходовиках, включая пример расчёта:
http://www.microsmart.eu/index.php?action=dlattach;topic=18.0;attach=2468

De_Kan

  • *
  • Сообщений: 37
  • Microsmart.eu
Re: ИИП на микросхеме UC3844, и её подобных.
« Ответ #4 : 06 Ноябрь, 2017, 18:33:44 »
Ошибочка вышла. Сам неверно посчитал, и стал возмущаться что литературка не достоверная.

De_Kan

  • *
  • Сообщений: 37
  • Microsmart.eu
Re: ИИП на микросхеме UC3844, и её подобных.
« Ответ #5 : 23 Ноябрь, 2017, 07:50:27 »
У меня вопрос к форумчанам.
Разбирался ли кто с китайскими флайбэками? Делал ли кто измерения или снимал осциллограммы?
Дело в том, что широко используемый китайцами транзистор 13001 расчитан на напряжение коллектор-эмитер 400 Вольт. Я сделал замеры, в одном из китайских зарядных устройств, напряжения на коллекторе относительно земли, и обнаружил, что он работает под напряжением 450 Вольт в импульсе при питающем напряжении в сети 250 Вольт (Это напряжение у меня дома в электросети в вечернее время). При питающем напряжении выше 250 Вольт импульсы на коллекторе достигают пика в 480 Вольт. Как транзистор не сгорает под завышенным напряжением? Может китайцы знают что-то что не пишут в справочных листках. Загадка  ???
Может ли кто нибудь пояснить информацию из справочного листка на транзситор 13001 (участок из datasheet приложен к сообщению), Напряжение пробоя участка коллектор-эмитер 400 Вольт при токе коллектора 1 мА и нулевом токе базы.  Как может протекать коллекторный ток в отсутствии открывающего тока базы? Может быть дело как раз в этом, что при отсутствии тока коллектора транзистор может выдержать напряжение более 400 Вольт.

Tartak

  • Разработчик
  • *****
  • Сообщений: 178
  • Microsmart.eu
Re: ИИП на микросхеме UC3844, и её подобных.
« Ответ #6 : 23 Ноябрь, 2017, 22:35:06 »
Как может протекать коллекторный ток в отсутствии открывающего тока базы?
Может. Обратный ток коллектора никто не отменял.
Может ли кто нибудь пояснить информацию из справочного листка на транзситор 13001 (участок из datasheet приложен к сообщению), Напряжение пробоя участка коллектор-эмитер 400 Вольт при токе коллектора 1 мА и нулевом токе базы.  Как может протекать коллекторный ток в отсутствии открывающего тока базы? Может быть дело как раз в этом, что при отсутствии тока коллектора транзистор может выдержать напряжение более 400 Вольт.
Конкретно эти две строчки значат:
первая: Ток обратносмещенного перехода коллектор-база достигнет величины в 100мкА при напряжении на этом переходе не менее 600В и это считается пробоем перехода. При этом эмиттер транзистора висит в воздухе.
вторая: Ток коллектор-эмиттер достигнет величины в 1мА при напряжении коллектор-эмиттер не менее 400В. При этом база транзистора висит в воздухе.
Так почему же напряжение пробоя коллектор-эмиттер меньше напряжения пробоя коллекторного перехода? - Всё просто: когда база транзистора висит в воздухе, обратный ток коллектора протекает через эмиттерный переход и приоткрывает транзистор, в следствии чего ток коллектора ещё больше возрастает и снова усиливается, при этом транзистор разогревается и обратный ток коллектора возрастает ещё больше, и снова усиливается, и так покругу. Начинается лавинный процесс пробоя транзистора.
Но из такой ситуации есть выход. Если закоротить эмиттерный переход то обратный ток коллектора будет стекать через базу минуя эмиттерный. И мы получим 600В на пробой.

De_Kan

  • *
  • Сообщений: 37
  • Microsmart.eu
Re: ИИП на микросхеме UC3844, и её подобных.
« Ответ #7 : 24 Ноябрь, 2017, 12:13:25 »
Спасибо Тартак за пояснение. Кинули в меня еще ссылочкой, где поясняются процессы пробоя переходов. Теперь все понятно.
Когда промерял китайский заряник для смартфона, то заметил что во время обратного хода база 13001 сидит под отрицательным потенциалом, и заряд базы стекает, не давая транзистору приоткрываться и пробиться.

Tartak

  • Разработчик
  • *****
  • Сообщений: 178
  • Microsmart.eu
Re: ИИП на микросхеме UC3844, и её подобных.
« Ответ #8 : 24 Ноябрь, 2017, 21:13:26 »
Пожалуйста, De_Kan.